本装置为基于电容耦合等离子体 (CCP) 技术的反应离子刻蚀系统，可实现高选择性、低温干法刻蚀工艺，适配复杂基片的蚀刻需求，具备全自动 CCP 阻抗匹配系统，可通过丰富选项拓展设备功能。

• 核心特征：刻蚀工艺中的高选择性、工艺中的低温度、干蚀刻工艺、氮气 (N₂) 填充系统、可进行复杂基片的蚀刻、全自动 CCP 阻抗匹配系统

• 附加功能 / 选项：激光干涉仪在微纳加工中的应用、集成到洁净室、液体试剂供给系统、光学发射光谱、基片的静电夹持、单波长光学或者宽带光学控制系统、向基片底部供应氦气 (He) 的热稳定系统、有射频偏压的基片支架 (可调整等离子体能谱)、恒温器、额外的气体管线、衬底低温冷却系统、用于加热室壁和管道的加热系统、用于中和有毒 / 可燃 / 爆炸性气体的洗涤器、气体中和柜、带自动衬底装载机制的加载锁真空室