本装置为基于感应耦合等离子体 (ICP) 技术的反应离子刻蚀系统，可实现高蚀刻速率、高选择性的干法刻蚀工艺，在高等离子体密度的同时，对基材无辐射损伤，适配复杂基片的蚀刻需求。

• 核心特征：高蚀刻速率、工艺中的低温度、干蚀刻工艺、氮气 (N₂) 填充系统、蚀刻工艺中的高选择性、可进行复杂基片的蚀刻、可调整的 ICP 与基片中间的距离、可实施深等离子蚀刻、自动 ICP 阻抗匹配系统、高等离子体密度的同时对基材无辐射损伤

• 附加功能 / 选项：集成到洁净室、液体试剂供给系统、基片的静电夹持、光学发射光谱、向基片底部供应氦气 (He) 的热稳定系统、有射频偏压的基片支架 (可调整等离子体能谱)、恒温器、加热泵送系统、额外的气体管线、用于中和有毒 / 可燃 / 爆炸性气体的洗涤器、气体中和柜、带自动衬底装载机制的加载锁真空室