本装置为基于电容耦合等离子体 (CCP) 技术的等离子体增强化学气相沉积系统，可在不降低薄膜参数的情况下进行低温处理，适配复杂形状衬底的涂层沉积需求，具备长维护周期的自清洁功能。

• 核心特征：涂层具有出色的附着力、高沉积速率、氮气 (N₂) 填充系统、全自动 CCP 阻抗匹配系统、低温处理不降低薄膜参数、可在复杂形状的衬底上沉积涂层、长维护周期的自清洁功能

• 附加功能 / 选项：激光干涉仪在微纳加工中的应用、集成到洁净室、光学发射光谱、基片的静电夹持、单波长光学或者宽带光学控制系统、20 摄氏度到 400 摄氏度范围内的基板加热和热稳定化系统、向基片底部供应氦气 (He) 的热稳定系统、具有射频 (RF) 偏压的基片架设计 (可调节等离子体的能量谱)、恒温器、额外的气体管线、液体试剂供给系统、用于中和有毒 / 可燃 / 爆炸性气体的洗涤器、气体中和柜、带自动衬底装载机制的加载锁真空室